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元件参数资料
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参数目录49538
> BS7067N06LS3G MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
型号:
BS7067N06LS3G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BS7067N06LS3G PDF
标准包装
5,000
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
6.7 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.2V @ 35µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
62nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4800pF @ 30V
功率 - 最大
78W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商设备封装
PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包装
带卷 (TR)
其它名称
BS7067N06LS3GINTR
查看BS7067N06LS3G代理商
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